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| 位错蠕变的概念 | |
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恢复作用
这是高温下的一种变形机制，当温度 T > 0.63 Tm（Tm为 熔融温度）时，恢复作用显得重要起来，位错可以比较自由地扩展并且从一个滑移面攀移到另一个滑移面。从而符号相反的两个位错可以通过攀移而互相湮灭（下图）；符号相同的位错可以重新排列成位错壁，而将一个晶粒分隔为亚晶粒。亚晶粒之间在晶格方位上有一轻微差异，而亚晶粒内部位错密度降低，使变形能继续进行（图）。这种现象称为多边形化作用。在显微镜单偏光下观察仍为一个晶粒，在正交偏光下观察可以看到相邻亚晶粒间的消光位有几度之差。
A、B 的上部表示晶内的许多位错通过滑移和 攀移重新排列而形成亚晶粒边界
A、B 的下部表示塞积的位错通过攀移而越过障碍，消除堆积的位错 |
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