缺陷符号 以二元化合物MX为例
1) 晶格空位:正常结点位没有质点,VM,VX
2) 间隙离子:除正常结点位置外的位置出现了质点,Mi ,Xx
3) 错位离子:M排列在X位置,或X排列在M位置上,若处在正常结点位置上,则MM,XX
4) 取代离子:外来杂质L进入晶体中,若取代M,则LM,若取代X,则LX,若占据间隙位,则Li。
5) 自由电子 e’(代表存在一个负电荷),,表示有效电荷。
6) 电子空穴 h?(代表存在一个正电荷),?表示有效正电荷
如:
从NaCl晶体中取走一个Na+,留下一个空位 造成电价不平衡,多出负一价 。相当于取走Na原子加一个负有效负电荷,e失去→自由电子,剩下位置为电子空穴h?
7) 复合缺陷
同时出现正负离子空位时,形成复合缺陷,双空位。
VM+VX→(VM- VX)
缺陷反应方程式
必须遵守三个原则
1) 位置平衡——反应前后位置数不变(相对物质位置而言)
2) 质点平衡——反应前后质量不变(相对加入物质而言)
3) 电价平衡——反应前后呈电中性
例:将CaCl2引入KCl中:
将CaO引入ZrO2中
注意:只从缺陷反应方程看,只要符合三个平衡就是对的,但实际上往往只有一种是对的,这要知道其它条件才能确定哪个缺陷反应是正确的。
确定(1)式密度增加,要根据具体实验和计算。
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