按形成的原因不同分三类：

　　1 热缺陷（晶格位置缺陷）

　　在晶体点阵的正常格点位出现空位，不该有质点的位置出现了质点（间隙质点）。

　　2 组成缺陷

　　外来质点（杂质）取代正常质点位置或进入正常结点的间隙位置。

　　3 电荷缺陷

　　晶体中某些质点个别电子处于激发状态，有的离开原来质点，形成自由电子，在原来电子轨道上留下了电子空穴。

　　1. 缺陷符号及缺陷反应方程式

　　缺陷符号   以二元化合物MX为例

　　1）  晶格空位：正常结点位没有质点，VM，VX

　　2）  间隙离子：除正常结点位置外的位置出现了质点，Mi ，Xx

　　3）  错位离子：M排列在X位置，或X排列在M位置上，若处在正常结点位置上，则MM，XX

　　4）取代离子：外来杂质L进入晶体中，若取代M，则LM，若取代X，则LX，若占据间隙位，则Li。

　　5）自由电子  e’（代表存在一个负电荷），，表示有效电荷。

　　6）电子空穴   h·(代表存在一个正电荷)，·表示有效正电荷

　　如从NaCl晶体中取走一个Na+，留下一个空位 造成电价不平衡，多出负一价 。相当于取走Na原子加一个负有效负电荷，e失去→自由电子，剩下位置为电子空穴h·

　　7）  复合缺陷

　　同时出现正负离子空位时，形成复合缺陷，双空位。

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