涉及较大范围（二维方向）、晶界、晶面、堆垛层错。

　　1. 晶面：由于晶体表面处的离子或原子具有不饱和键，有很大反应活性，表面结构出现不对称性，使点阵受到很大弯曲变形，因而能量比内部能量高，是一种缺陷。

　　2. 晶界：晶粒之间交界面，晶粒间取向不同出现晶粒间界，在晶粒界面上的排列是一种过渡状态与两晶粒都不相同。

　　1）小角度晶界（镶嵌块）

　　尺寸在10-6-10-8m的小晶块，彼此间以几秒到 的微小（ ）角度倾斜相交，形成镶嵌结构，有人认为是棱位错，由于晶粒以微小角度相交，可以认为合并在一起，在晶界面是形成了一系列刃型位错。

　　2）大角度晶界，各晶面取向互不相同，交角较大，在多晶体中，晶体可能出现大角度晶界。在这种晶界中，顶点排列接近无序状态，晶界处是缺陷位置，所以能量较高，可吸附外来质点。晶界是原子或离子扩散的快速通道，也是空位消除的地方，这种特殊作用对固相反应，烧结起重要作用，对陶瓷、耐火材料等多晶材料性能如蠕变、强度等力学性能和极化、损耗等介电性能影响较大。

　　3. 堆垛层错

　　离子堆垛过程中发生了层次错动，出现堆垛层错，如面心立方堆积形式为ABCABCA……→ABCACBABC中间的B层和C层发生了层次错动，出现缺陷（一般了解）

　　非化学计量化合物

　　定义：化合物中各元素的原子数之比不是简单的整数而出现了分数，如Fe1-xO,Cu2-xO,Co1-xO等。

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